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Si1900DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.6
60
1.2
50
40
C iss
0.8
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
30
20
C oss
0.4
10
C rss
0.0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
4
8
12
16
20
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 15 V
I D = 0.59 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 0.59 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
1. 8
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 0.59 A
1.5
1.2
T J = 150 °C
0.9
T J = 25 °C
0.6
0.3
0.1
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71251
S10-1054-Rev. F, 03-May-10
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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